Процессоры категории: "#Ice_Lake" (Найдено: 89) – Страница 3
ID: 1436
24
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Производительных ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 10 MB, TDP: 50 W.
ID: 1440
29
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Производительных ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 110 W.
ID: 1334
22
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Производительных ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 118 W.
ID: 1341
36
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Производительных ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 120 W.
ID: 1368
45
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 18, Производительных ядер: 18, Потоков: 36, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 27.5 MB, TDP: 118 W.
ID: 1376
32
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Производительных ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 125 W.
ID: 1327
41
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.90 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 52 W.
ID: 1315
37
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 36, Потоков: 72, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 54 MB, TDP: 225 W.
ID: 1316
21
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.20 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 140 W.
ID: 1317
32
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 150 W.
ID: 1287
32
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 185 W.
ID: 1289
21
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 18, Потоков: 36, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 39 MB, TDP: 205 W.
ID: 1296
36
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 240 W.
ID: 1276
12
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 150 W.
ID: 1279
17
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.
ID: 1224
42
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 40, Потоков: 80, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 60 MB, TDP: 270 W.
ID: 1230
24
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 235 W.
ID: 1247
23
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 36, Производительных ядер: 0, Энергоэффективных ядер: 0, Потоков: 72, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 54 MB, TDP: 195 W.
ID: 1248
7
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 205 W.
ID: 1249
30
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.30 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 120 W.