Процессоры категории: "#10_nm" (Найдено: 186) – Страница 7

ID: 1178
45
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 38, Потоков: 76, Частота в режиме Turbo Boost: 3.70 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 57 MB, TDP: 270 W.

ID: 1192
23
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 185 W.

ID: 1194
33
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 230 W.

ID: 1202
38
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.

ID: 1206
52
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 36, Потоков: 72, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 54 MB, TDP: 250 W.

ID: 1105
31
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 205 W.

ID: 1111
25
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.

ID: 1117
33
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 38, Потоков: 76, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 57 MB, TDP: 270 W.

ID: 1118
56
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.

ID: 1122
22
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.70 GHz, Базовая частота: 3.60 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 165 W.

ID: 1140
11
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.

ID: 1154
48
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 105 W.

ID: 1156
23
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 150 W.

ID: 1078
45
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 24 MB, TDP: 135 W.

ID: 1088
35
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 150 W.

ID: 1089
32
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 165 W.

ID: 1031
36
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 5, Потоков: 5, Частота в режиме Turbo Boost: 2.80 GHz, Базовая частота: 800 MHz, Кэш память: 4 MB.

ID: 1022
16
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 5, Потоков: 5, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.40 GHz, Кэш память: 4 MB.

ID: 80
18
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm SuperFin, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 4.60 GHz, Кэш память: 12 MB Intel Smart Cache.

ID: 89
30
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm SuperFin, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 4.60 GHz, Кэш память: 24 MB Intel Smart Cache.