Intel Xeon D

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 2.70 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 17 MB, TDP: 85 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 6, Производительных ядер: 6, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 2.70 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 10 MB, TDP: 36 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 2.30 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 35 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 2.60 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 1.30 GHz, Базовая частота: 1.30 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 20 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 11 MB, TDP: 80 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 2.8 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 14, Потоков: 28, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 19 MB, TDP: 70 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Производительных ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 67 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 6, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 2.70 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 65 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 2, Производительных ядер: 2, Потоков: 4, Частота в режиме Turbo Boost: 1.70 GHz, Базовая частота: 1.60 GHz, Кэш память: 5 MB, TDP: 25 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.90 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 40 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 2.20 GHz, Базовая частота: 1.60 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 35 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.90 GHz, Кэш память: 11 MB, TDP: 65 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Производительных ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 126 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 8 MB, TDP: 60 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 6 MB, TDP: 35 W.