Intel Xeon D – Страница 3

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 11 MB, TDP: 65 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 53 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Производительных ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 25 MB, TDP: 126 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Производительных ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.90 GHz, Кэш память: 20 MB, TDP: 84 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 14, Потоков: 28, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 1.90 GHz, Кэш память: 19 MB, TDP: 105 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Производительных ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 65 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Производительных ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.30 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 10 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Производительных ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 25 MB, TDP: 117 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.00 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 11 MB, TDP: 65 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Производительных ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 90 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 6, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 2.70 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 45 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Производительных ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 80 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 50 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.70 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 67 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 6, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.90 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 55 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Производительных ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 20 MB, TDP: 107 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Производительных ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 10 MB, TDP: 46 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 88 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Производительных ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 55 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Производительных ядер: 4, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 10 MB, TDP: 40 W.