Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 12, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 2.00 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 25 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Энергоэффективных ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 55 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 9 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Энергоэффективных ядер: 4, Потоков: 4, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 43 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Энергоэффективных ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 41 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 1.70 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 16 MB, TDP: 17 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 8, Частота в режиме Turbo Boost: 2.20 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 16 MB, TDP: 25 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 2, Потоков: 2, Частота в режиме Turbo Boost: 2.10 GHz, Базовая частота: 1.60 GHz, Кэш память: 4 MB, TDP: 9.5 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 22 nm, Ядер: 2, Потоков: 2, Частота в режиме Turbo Boost: 2.00 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 1 MB, TDP: 6 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Энергоэффективных ядер: 12, Потоков: 12, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 13.5 MB, TDP: 61 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 4, Энергоэффективных ядер: 4, Потоков: 4, Базовая частота: 1.60 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 32 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 16, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 2.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 16 MB, TDP: 32 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 12, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 13.5 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Энергоэффективных ядер: 20, Потоков: 20, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 22.5 MB, TDP: 78 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 22 nm, Ядер: 4, Потоков: 4, Частота в режиме Turbo Boost: 2.40 GHz, Базовая частота: 1.70 GHz, Кэш память: 2 MB, TDP: 9 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 2, Потоков: 2, Частота в режиме Turbo Boost: 2.20 GHz, Базовая частота: 1.50 GHz, Кэш память: 4 MB, TDP: 8.5 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 12, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 2.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 25 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 12, Потоков: 12, Частота в режиме Turbo Boost: 2.00 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 25 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 2, Потоков: 2, Базовая частота: 1.50 GHz, Кэш память: 4 MB, TDP: 11 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 4, Потоков: 4, Частота в режиме Turbo Boost: 1.60 GHz, Базовая частота: 1.60 GHz, Кэш память: 8 MB, TDP: 11.5 W.