Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Энергоэффективных ядер: 16, Потоков: 16, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 71 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Энергоэффективных ядер: 24, Потоков: 24, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 27 MB, TDP: 83 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Энергоэффективных ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 55 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 9 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Энергоэффективных ядер: 12, Потоков: 12, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 13.5 MB, TDP: 61 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 12, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 13.5 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Энергоэффективных ядер: 20, Потоков: 20, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 22.5 MB, TDP: 78 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 24, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 27 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 16, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 18 MB L2 Cache.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Энергоэффективных ядер: 12, Потоков: 12, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 13.5 MB, TDP: 54.5 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Энергоэффективных ядер: 8, Потоков: 8, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 9 MB, TDP: 48 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Энергоэффективных ядер: 16, Потоков: 16, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 67 W.

Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Энергоэффективных ядер: 20, Потоков: 20, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 22.5 MB, TDP: 74.5 W.