Процессоры категории: "#10_nm" (Найдено: 186) – Страница 6
ID: 1316
24
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.20 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 140 W.
ID: 1317
38
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 150 W.
ID: 1287
33
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 185 W.
ID: 1289
26
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 18, Потоков: 36, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 39 MB, TDP: 205 W.
ID: 1296
40
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 240 W.
ID: 1276
16
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 150 W.
ID: 1279
20
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.
ID: 1224
50
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 40, Потоков: 80, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 60 MB, TDP: 270 W.
ID: 1230
27
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 235 W.
ID: 1247
30
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 36, Производительных ядер: 0, Энергоэффективных ядер: 0, Потоков: 72, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 54 MB, TDP: 195 W.
ID: 1248
9
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.10 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 205 W.
ID: 1249
31
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.30 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 120 W.
ID: 1258
31
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.90 GHz, Кэш память: 24 MB, TDP: 185 W.
ID: 1259
35
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.
ID: 1269
29
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 185 W.
ID: 1165
32
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 250 W.
ID: 1171
42
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 105 W.
ID: 1172
35
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 26, Потоков: 52, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 39 MB, TDP: 185 W.
ID: 1175
30
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.
ID: 1177
40
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 265 W.