Процессоры категории: "#3rd_Generation_Intel_Xeon_Scalable_Processors" (Найдено: 52) – Страница 2
ID: 1269
25
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 185 W.
ID: 1165
26
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 250 W.
ID: 1171
35
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 10, Потоков: 20, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 15 MB, TDP: 105 W.
ID: 1172
31
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 26, Потоков: 52, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 39 MB, TDP: 185 W.
ID: 1175
28
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.
ID: 1177
36
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 265 W.
ID: 1178
36
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 38, Потоков: 76, Частота в режиме Turbo Boost: 3.70 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 57 MB, TDP: 270 W.
ID: 1192
16
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 185 W.
ID: 1194
29
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 230 W.
ID: 1196
25
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 4.20 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 33 MB, TDP: 225 W.
ID: 1197
25
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 4.30 GHz, Базовая частота: 2.60 GHz, Кэш память: 38.5 MB, TDP: 205 W.
ID: 1198
19
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 18, Потоков: 36, Частота в режиме Turbo Boost: 3.80 GHz, Базовая частота: 2.50 GHz, Кэш память: 24.75 MB, TDP: 150 W.
ID: 1202
30
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 165 W.
ID: 1203
21
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 3.70 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 33 MB, TDP: 150 W.
ID: 1206
44
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 36, Потоков: 72, Частота в режиме Turbo Boost: 3.50 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 54 MB, TDP: 250 W.
ID: 1105
28
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.10 GHz, Кэш память: 36 MB, TDP: 205 W.
ID: 1108
22
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 4.20 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 33 MB, TDP: 165 W.
ID: 1111
22
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.20 GHz, Базовая частота: 2.00 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.
ID: 1116
24
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 4.30 GHz, Базовая частота: 2.90 GHz, Кэш память: 38.5 MB, TDP: 250 W.
ID: 1117
28
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 38, Потоков: 76, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 57 MB, TDP: 270 W.