Процессоры категории: "#3rd_Generation_Intel_Xeon_Scalable_Processors" (Найдено: 52) – Страница 3
ID: 1118
51
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.
ID: 1122
21
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.70 GHz, Базовая частота: 3.60 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 165 W.
ID: 1140
9
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 32, Потоков: 64, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 48 MB, TDP: 205 W.
ID: 1147
24
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 24, Потоков: 48, Частота в режиме Turbo Boost: 4.20 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 33 MB, TDP: 225 W.
ID: 1154
38
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 2.80 GHz, Кэш память: 12 MB, TDP: 105 W.
ID: 1156
21
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.30 GHz, Кэш память: 30 MB, TDP: 150 W.
ID: 1078
37
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 16, Потоков: 32, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 24 MB, TDP: 135 W.
ID: 1084
22
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 20, Потоков: 40, Частота в режиме Turbo Boost: 4.20 GHz, Базовая частота: 2.40 GHz, Кэш память: 27.5 MB, TDP: 150 W.
ID: 1088
27
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 12, Потоков: 24, Частота в режиме Turbo Boost: 3.60 GHz, Базовая частота: 3.00 GHz, Кэш память: 18 MB, TDP: 150 W.
ID: 1089
27
Краткие характеристики: Техпроцесс: 10 nm, Ядер: 28, Потоков: 56, Частота в режиме Turbo Boost: 3.40 GHz, Базовая частота: 2.20 GHz, Кэш память: 42 MB, TDP: 165 W.
ID: 1095
35
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 18, Потоков: 36, Частота в режиме Turbo Boost: 4.30 GHz, Базовая частота: 3.10 GHz, Кэш память: 24.75 MB, TDP: 205 W.
ID: 1101
28
Краткие характеристики: Техпроцесс: 14 nm, Ядер: 8, Потоков: 16, Частота в режиме Turbo Boost: 4.40 GHz, Базовая частота: 3.90 GHz, Кэш память: 35.75 MB, TDP: 190 W.